功率放大器在μLED器件光電特性研究中的應用
實驗名稱:非導體接觸式μLED器件的光電特性研究
研究方向：交流LED驅動、半導體器件
實驗內容:
依據非導體接觸式μLED模型，制備出相應的器件。其次是針對這種新型結構的μLED，研究其在交流信號驅動下的頻率-電壓、電流-電壓，發光強度等光電特性。
GaN基微發光二極管(μLEDs)在超高分辨率顯示、微顯示、可見光通信、固態照明等方面有突出的優勢。傳統μLED工作機制是：施加正向電壓時，空穴電子分別從p區n區注入到多量子阱中輻射復合發光。在正向偏壓下，從外部電極注入連續的電子和空穴，導致連續的電致發光。
測試目的：
建立一種非導體接觸式μLED模型并揭示其工作機理，為改善μLED器件結構、優化工作模式提供理論指導。
測試設備:
非導體接觸式μLED器件、信號發生器、功率放大器、光功率計、雪崩光電探測器、示波器
放大器型號:ATA-1222A寬帶放大器
實驗過程：
通過信號發生器產生不同頻率的電壓信號通過功率放大器進行放大輸出，并將其施加在非導體接觸式μLED器件上，采用示波器檢測其電學特性，光功率計、雪崩光電探測器測試其電致發光特性。
測試結果：
1.在交流電場的驅動下，實現了在無外部電荷注入的情況下“無線”點亮μLED。
2.提出了一種與載流子在交變電場作用下周期性振蕩相關的NEC&NCI模式的工作模型，并通過采用“載流子泵”實現高光功率密度，進一步實驗驗證了該模型。
3.簡要討論了“電容器內器件”的自我保護機制，即該結構μLED器件可以在高壓驅動下正常工作，防止電擊穿。
放大器在該實驗中發揮的效能:該設備是本實驗中的核心設備，提供驅動信號的調節功能
選擇該功率放大器的原因:設備性能高，參數滿足要求（差分輸出，電壓幅度較高、頻率范圍較大）
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